愚直跟着全球动力结构向清洁化 、国民光储 。双芯智能 。驱动全高化转型 ，充智光伏+储能+充电（光储充） 。操能动一体化解决计划成为职业热门。控安在这一范畴中 ，效赋微操控器 。国民光储（ 。双芯MCU 。驱动全高）和 。充智电池办理 。操能动体系（BMS）芯片作为中心操控单元 ，控安别离承当体系智能化办理和电池安全高效运转的效赋要害使命 。国民技能MCU与BMS芯片产品凭仗其高功用 、国民光储低功耗和高检测精度等优势 ，正推进光储充体系向更高效、更牢靠的方向开展 。
6月12日 ，在全球光储交融前沿技能大会上 ，国民技能商场总监刘亚明与职业专家 、用户代表打开深化沟通 ，要点讨论N32系列MCU及 NB系列 BMS 。 AFE。产品在光储充范畴的使用优势 。会议聚集怎么经过高运算功用和高检测精度的 。芯片技能。提高动力办理功率 、优化体系运转功用，并打造更安全牢靠的用户体会 。
N32 MCU ：光储充体系的“才智大脑” 。
国民技能N32 MCU产品宗族已构成完好的32位微操控器产品矩阵 ，包含38个产品系列 、近300款类型，全面掩盖Cortex-M0/M4/M7内核架构 ，主频规模48 MHz至600 MHz ，在业界具有先进的工艺制程、立异性的双核异构构架以及广泛的全栈产品掩盖等优势 。
刘亚明在本次讲演中具体解析了国民技能MCU产品在光储充范畴的技能优势 ：
01高效动力办理 ，提高体系安稳性 。
在光储充体系中 ，动力的高效转化与办理至关重要 。MCU经过精准的 。算法 。操控 ，完成光伏MPPT（最大功率点盯梢）优化 、电池储能智能办理（BMS）和。充电桩 。动态功率分配。N32 MCU高算力（最高主频600 MHz ，功用达1284 DMIPS） 、。高精度。（100 ps超高分辨率PWM输出）和实时呼应才能（支撑Flash加快单元完成零等候履行程序），保证动力活动更高效 ，体系运转更安稳。
02低功耗规划 ，延伸设备续航 。
光储充体系一般需求7×24小时运转 ，MCU的低功耗特性可大幅下降待机功耗 ，能够协助光储充体系削减动力糟蹋 ，提高整体能效 。 N32 MCU在低功耗规划方面支撑 ：
— 休眠形式唤醒 ：N32 MCU支撑RUN、SLEEP、Stop0 、Stop2 、Standby 、VBAT等作业形式，根据作业场景切换作业形式 ，削减无效能耗。
— 动态电压调理 ：可根据负载状况调整MCU运转频率和电压 ，优化能耗比 。
03高集成度 ，体系规划更灵敏 。
N32 MCU最大集成了高达4MB Flash存储空间 ，1.5MB的S 。RAM 。空间 ，便于运转各种高效的动力计量与办理算法，除此之外集成了丰厚的外设资源 ，如 。ADC 。 、。DAC 。 、CMP等 。模仿 。外设 ，内部集成多个 。UART 。 、。USB 。、 。CAN 。/CAN FD和 。Ethernet。等。通讯接口 。 ，让体系规划更灵敏。
04实时呼应与安全维护 。
光储充体系对安全性和实时性要求极高 ，MCU的实时性与安全性保证了光储充体系的牢靠性与智能化 。
N32 MCU供给 ：
— 硬件级维护机制 ：多种芯片内硬件级维护机制 、。时钟 。失效监测等毛病的快速检测与关断机制 。
— 数据加密与安全发动 ：防止 。黑客 。进犯 ，保证用户数据和设备安全 。
NB BMS+N32 MCU芯片协同助力安全高效
。
国民技能为光储充商场供给完好的芯片级解决计划 ，经过MCU+BMS芯片协同立异 ，构建安全高效的动力办理体系 。
产品矩阵与技能优势 ：
BMS AFE芯片NB1802：高精度电池监测前端 。
— 支撑6-18串电芯监控 。
— ±1.5 mV电压检测精度（-20 ℃~60 ℃）。
— 350 mA大电流被迫均衡 ，最长90小时离线均衡 。
— 1.5 Mbps菊花链 。通讯 。 ，支撑62颗级联。
— 10路GPIO或模仿输入,支撑灵敏装备Busbar丈量通道 。
NBT02 ：专用桥接芯片 ，支撑。环形 。拓扑通讯。
NB1802与NBT02芯片将于年末发布 。
广泛的光储充使用事例 。
大会同期的2025 SNEC世界光伏储能展，国民技能带来了包含关断器、 。逆变器 。、集中式架构储能计划 、 。数字电源。、沟通充电桩以及60KW直流充电桩等光储充用户事例与计划 。
光伏关断器使用 。
主控芯片 ：N32H474 。
优势 ：
— 高功用 ：ARM。Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS ,支撑 。 DSP 。指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 高精度 。定时器 。资源 ：1xSHR。TI 。M (125 ps) 、3xATIM(5 ns) 、10xGTIM（5 ns/5.56 ns）。
— 高功用模仿 ：4x12-bit 4.7Msps 。 AD 。C 、8x12-bit DAC、4xPGA 、7xCOMP 。
— 高安全 ：支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动，支撑多种硬件加密算法。
使用特色 ：
主控芯片实时收集电压 、 。电流 。及温度数据 ，经过磁 。耦合器 。模块（。RS 。M）根据SunSpec协议传输至快速关断器（RSD） ，触发光伏组件 。电气 。解耦，保证30秒内电压降至安全规模 。
逆变器使用 。
主控芯片 ：1xN32H765+ 2xN32H473。
优势 ：
N32H765 。
—高功用：ARM Cortex-M7600 MHz ，功用达1284DMIPS，双精度浮点运算单元 ，支撑DSP指令和MPU，支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 高精度定时器资源：2x16-bit SHRTIM (100 ps)、4x16-bit ATIM(3.3 ns) 、10x16-bit GTIM 、4x32-bit BTIM 、5x16-bit LPTIM 。
— 高功用模仿外设 ：3x12-bit 5 Msps ADC（支撑16-bit硬件过采样 ，支撑单端和差分形式） 、6x12-bit DAC 、 4xCOMP。
— 丰厚的数字 。接口 。 ：15xU(S)ART 、8xCAN FD。
— 高安全 ：支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动，支撑多种硬件加密算法 。
N32H473 。
— 高功用 ：ARM Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 丰厚的定时器资源 ： 3x16-bit ATIM(5 ns)、10x16-bit GTIM 、2x32-bit BTIM、2x16-bit LPTIM 。
— 高功用模仿外设 ：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC 、4xPGA 、7xCOMP 。
— 丰厚的数字接口 ：8xU(S)ART(其间三个UART支撑恣意I/O映射), 2xCAN FD（恣意I/O映射）。
— 高安全 ：支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法。
使用特色 ：
主控MCU完成中心操控功用，包含 ：
— MPPT（最大功率点盯梢）。
● 支撑4路MPPT ，独立优化 ，适配不同朝向/倾角/暗影遮挡的光伏组串 ，提高发电功率 。
● 21A大电流输入 ，兼容182/210大尺度高效组件 ，支撑1.1倍直流超配 ，最大化使用组件功率 。
— 。 DC 。/ 。AC。转化操控。
● 选用高效。IGBT 。/SiC MOS拓扑 ，转化功率高达98.6% ，下降能量损耗；支撑宽电压输入规模（200 V~1000V DC） ，习惯不同光照条件下的组件输出 。
集中式架构储能计划 。
芯片类型 ：
MCU ：N32H47x/N32G45x 。
BMS AFE ：NB1802 。
菊花阻隔链通讯芯片 ：NBT02 。
计划特色 ：
— 安稳检测电池包电压和温度 。
— 电压精度±1.5 mV(常温) ，±3 mV(-40 ℃~125 ℃)；温度精度0.5 ℃~1 ℃ 。
— 高牢靠性菊花链（环状）通讯 ，支撑正向/反向唤醒 。
— 支撑BusBar电压收集（-1 V ~5 V） ，通道灵敏可配 。
— 低功耗 。
Active: 10 mA ，
Shutdown: 15 uA 。
数字电源计划 。
主控芯片 ：N32H474 。
优势 ：
— 高功用：ARM Cortex-M4F200 MHz，功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 高精度定时器：支撑12通道125ps超高分辨率相位可调的PWM输出 。
— 高集成度外设 ：4x12-bit 4.7 Msps ADC 、8x12-bit DAC、4xPGA 、7xCOMP、3xCAN FD 。
— 高安全 ：支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法 。
使用特色 ：
单芯片完成500-5000W的多相 。FPC。+LLC数字电源操控 。
沟通充电桩使用
。
主控芯片：N32G457 。
优势 ：
— 最优效能本钱比 ：ARM Cortex-M4F144MHz ，功用达180DMIPS ，支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 高集成度 ：7xU(S)ART 、3xSPI（2个支撑I2S） 、4xI2C,1xUSB2.0 、2xCAN2.0 。
— 高安全 ：支撑外部高速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支撑安全发动，支撑多种硬件加密算法 。
使用特色 ：
N32G457作为整机 。操控器。 ，完成充电枪状况检测、功率操控 、充电模块温度监测、电量计量 、语音播报，并经过 。4G 。或 。以太网。将数据上传至服务器。
直流充电桩使用。
主控芯片: N32H474 。
优势 ：
— 高功用 ：ARM Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。
— 高精度定时器资源：支撑12通道125 ps超高分辨率相位可调的PWM输出 。
— 高集成度外设 ：4x12-bit 4.7 Msps ADC 、8x12-bit DAC 、4xPGA、7xCOMP 、3xCAN FD 。
等通讯接口 。
— 高安全 ：支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法。
使用特色：
— 操控充电启停 、预充电（防止电流冲击）
、恒流（CC）/恒压（CV）形式切换
，保证契合国标
。
— 实时高精度调整PWM占空比 ，准确操控输出电压（200V-1000V）和电流（0-400A） 。
— 经过 CAN总线与车辆BMS交互 ，获取电池SOC 、温度 、最大答应充电电流等参数 ，动态调整充电战略 。
— 具有过欠压维护 、过流维护 、绝缘监测 、温度维护和急停等功用。
附录 ：光储充使用MCU引荐类型主要参数比照 。
